隨著摩爾定律逼近物理極限，先進封裝技術(shù)（2.5D/3D IC、扇出型封裝、Chiplet集成等）成為延續(xù)半導體性能提升的關(guān)鍵路徑。
其中，光刻膠的徹底、無損去除直接決定了封裝良率與長期可靠性。
一、等離子干法去膠
傳統(tǒng)濕法去膠在面對復雜三維結(jié)構(gòu)、敏感材料和嚴苛尺度時局限性凸顯，而等離子干法去膠技術(shù)利用高能等離子體去除光刻膠，去膠徹底且速度快，無需引入化學物質(zhì)，避免造成材料損傷，已逐漸成為先進封裝工藝鏈中不可替代的核心制程。
二、晟鼎等離子去膠機
核心優(yōu)勢
?采用遠程等離子體，可避免造成晶圓損傷
?高密度等離子體，去膠速率快
?仿真電圈設(shè)計，放電穩(wěn)定，等離子電離效率高
?自研軟件，具有直觀流程動畫和完善的數(shù)據(jù)記錄
等離子去膠機產(chǎn)品系列
三、晟鼎等離子去膠機光刻膠處理效果
當圖形化工藝完成后，表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進行完全清除。光刻膠殘留會破壞電路圖案的精度和線寬，導致芯片性能下降甚至失效。
①硅晶圓光刻膠去除
②藍寶石光刻膠去除
四、等離子去膠機應(yīng)用工藝
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